MÔ TẢ CHI TIẾT Hãng sản xuất SamSung Model MZ-75E1T0BW Dung lượng 1TB Chip điều khiển Samsung MGX Controller Chip nhớ NAND Flash Samsung 32 layer 3D V-NAND Bộ nhớ đệm Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM Kích Thước 99.7 x 69.75 x 7mm Tốc độ đọc tối đa lên tới 540MB/ giây Tốc độ ghi tối đa lên tới 520MB / giây Điện năng tiêu thụ (hoạt động/nghỉ) 3W / 50mW Hỗ trợ TRIM - RAID, Mã hóa 256-Bit AES, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) Tuổi thọ 2 triệu giờ